扫描电子显微镜(SEM)
分辨率: 3 nm@ 30 KV,8 nm@ 3 KV
放大倍数:2 x– 1000,000 x(屏幕放大倍数)
加速电压:0.2-30 KV
探针电流:1 pA – 2uA
样品室: 内径230mm
样品台: 5 轴计算机控制优中心全自动马达驱动样品台X = 80 mm;Y = 60 mm;Z = 50mm;T = -80° - 80°;R = 360°连续旋转
能谱仪(EDS)
硅漂移(SDD)电制冷探测器,采用场效应管(FET)一体化集成设计的高速SDD芯片,30mm2有效面积,超薄窗设计,独立真空;
能量分辨率:在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于129eV,轻元素分辨率:C-K/57eV, F-K/67eV;
元素分析范围: Be 4~Cf 98。 |