扫描电子显微镜（SEM） 分辨率： 1.0 nm@ 30 KV 1.8 nm@ 1 KV 放大倍数：2 x– 1000,000 x（屏幕放大倍数） 加速电压：0.05-30 KV 探针电流：2 pA - 400 nA 样品室： 宽度340 mm x 深度 315 mm 样品台： 5 轴计算机控制优中心全自动马达驱动样品台X = 130 mm；Y = 130 mm；Z = 95mm；T = -60° - 90°；R = 360°连续旋转
拉曼光谱仪部分 电镜内共聚焦拉曼成像空间分辨率：XY方向优于500nm （532 nm激光），Z方向优于1500nm（532 nm激光），可以实现电镜内共聚焦拉曼2D和3D成像 激发波长有532nm，488 nm，633 nm
平插能谱仪和斜插能谱仪（EDS） 双探测器系统，其中一个探测器为平插式能谱仪，另一个为斜插式能谱仪，硅漂移（SDD）电制冷探测器 平插式能谱仪晶体面积与独特设计：平插式探测器的组件中，四个独立的高速SDD芯片成环形排列于中心孔四周，入射电子束从该中心孔穿过。每一SDD芯片，晶体活区面积为15mm2，共计60mm2； 斜插式能谱仪晶体面积与独特设计：晶体活区面积为60mm2，采用纤细化等技术提高固体角，斜插式能谱的探头探指直径不大于18.2mm，分析效率最优； 能量分辨率：在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于129eV； 平插式能谱仪有窗设计：配置有不同厚度的特殊聚合物窗口，可吸收不同加速电压下的背散射电子； 元素分析范围: Be 4～Cf 98 |
